高溫測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
高溫測(cè)試(高溫運(yùn)行、高溫貯存)的目的是確定軍民用設(shè)備、零部件在常溫條件下儲(chǔ)存和工作的儲(chǔ)存、使用的適應(yīng)性及耐久性。確認(rèn)材料高溫下的性能。高溫環(huán)境對(duì)設(shè)備的主要影響有:
1. 填充物和密封條軟化或融化;
2. 潤(rùn)滑劑粘度降低，揮發(fā)加快，潤(rùn)滑作用減小;
3. 電子電路穩(wěn)定性下降，絕緣損壞;
4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化、開(kāi)裂、化學(xué)反應(yīng)等;
5. 材料膨脹造成機(jī)械應(yīng)力增大或磨損增大。高溫條件下試件的失效模式產(chǎn)品所使用零件、材料在高溫時(shí)可能發(fā)生軟化、效能降低、特性改變、潛在破壞、氧化等現(xiàn)象。高溫試驗(yàn)?zāi)芰?/p>
GB/T2423.2-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫》
IEC 60068-2-2:2007《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫》
GJB150.3A-2009《軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 高溫試驗(yàn)》
GJB128A-97 《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》
MIL-STD-810F《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)》
GJB4.2-83《艦船電子設(shè)備環(huán)境試驗(yàn) 高溫試驗(yàn)》
GJB360A-96 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法108高溫壽命試驗(yàn)
MIL-STD-202F《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》
GJB548A-96 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》
MIL-STD-883D 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》
SJ/T 10325-92《汽車(chē)收放機(jī)環(huán)境試驗(yàn)要求和試驗(yàn)方法》4.1 高溫負(fù)荷試驗(yàn)
SJ/T 10325-92《汽車(chē)收放機(jī)環(huán)境試驗(yàn)要求和試驗(yàn)方法》4.2 高溫貯存試驗(yàn)
GB/T13543-92《數(shù)字通信設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法》
QC/T 413-2002《汽車(chē)電氣設(shè)備基本技術(shù)條件》 YD/T1591-2009《移動(dòng)通信手持機(jī)充電器及接口技術(shù)要求和測(cè)試方法》
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